在非易失性存储器选型中，MRAM（磁性随机存取存储器）与FRAM（铁电随机存取存储器）常被并列比较。两者都支持字节级写入、断电保存，写入前无需擦除，但存储机理不同，耐久性、温度适应
很多存量嵌入式项目BOM都选用ISSI SRAM做外部缓存，为实现掉电保存，普遍采用SRAM搭配后备电池的架构。但如今ISSI部分型号供货不稳定，再加上电池备份方案的缺点越来越明显，很多人开始寻求I
中微半导在MCU领域已经做了多年，存储芯片是其同步推进的产品线。这次推出的SPI Nor Flash系列覆盖1Mb到512Mb，并可延伸到更高密度；SC25F128A面向需要高性能存储的设计，并且能和自家MCU在软硬件
