everspin 并行MRAM芯片MR4A16BMA35R

2018年09月29日

Everspin MR4A16BMA35R容量:16Mb数据结构:1Mb*16总线速度:35ns工作电压:3.3V工作温度:C,M-0~+70摄氏度)16位并行总线接口,数据保持期长达20年以上而不会丢失,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护,以防止在非工作电压期间写入。这款并行MRAM器件能够在商业级(0+70 °C)、工业级(-40+85 °C)与扩展级(-40+105 °C)温度范围内工作,并在整个温度范围内保持高度可靠的数据存储能力。MR4A16B采用48引脚球栅阵列 (BGA) 小型封装和54引脚微小外形封装 (TSOPII)

特性

读取/写入周期时间:35ns

真正无限次擦除使用

业内最长的寿命和数据保存时间----超过20年的非挥发特性

可取代多种存储器----集闪存、SRAMEEPROM以及BBSRAM的功能于一身

采用MRAM取代电池供电的SRAM方案,解决了电池组装、可靠性以及责任方面的问题

掉电数据自动保护

具备商业级、工业级、扩展级和汽车级的可选温度范围

符合RoHS、兼容SRAM TSOPII封装

符合RoHS、兼容SRAM BGA封装(板面积缩小了3倍)

16位并行总线接口MRAM

来源:深圳市英尚微电子有限公司
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