美光建设新厂 研发全新技术

2017年12月19日
此前,由于美光科技DRAM大厂台湾桃园厂区发生氮气泄露事件,导致5000至1万片的晶圆直接报废,4万片晶圆则被视为次级品或者报废品。美光迅速解决并恢复正常生产运作,对之后的产能并没有产生太大的影响。
  
8月14日,美光在总部举办活动庆祝新厂建设成功。据了解,这个工厂主要用于研发全新内存以及存储技术,美光技术开发执行副总裁ScottDeBoer表示,美光的主要DRAM技术研发中心已经转入其日本广岛的制造工厂,未来将加速研发3D NAND以及DRAM全新技术。
  
由于目前DRAM市场正处于涨潮阶段,美光预计2017年会计年度第四季营收同比增长91%,高达61.38亿美元,且对于2017年底营收的展望远超市场预期,预估为63亿美元左右。美光执行长SanjayMehrotra表示,美光1X纳米DRAM和64层3D NAND的良率将于今年年底达到稳定阶段,从产业目前情况来看,今年年底前,DRAM以及NAND Flash都将供不应求。


本文关键词:DRAM

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